Сверхбыстрая зарядка для широкого ряда устройств
* Скорость зарядки зависит от устройства. ** Сверхбыстрая зарядка Super Fast Charging 2.0 (45 Вт) доступна на Galaxy S20 Ultra, Note10+, Tab S7+ и выше, включая Galaxy S22 Ultra и Galaxy S22+. В будущем могут быть добавлены и другие устройства. *** Для зарядки мощностью 45 Вт и выше (PD 65 Вт и SFC 45 Вт) используйте комплектный зарядный кабель с поддержкой силы тока до 5 А.
Универсальная совместимость
* На процесс зарядки могут негативно влиять такие факторы, как подключенное устройство, кабель, условия зарядки.
Безопасная и стабильная зарядка может быть быстрой и мощной
* Внутренние испытания с использованием мировых стандартов, связанных с обеспечением качества. Независимая оценка TÜV SÜD или CTK Korea в период с 10.01.2021 по 31.10.2021 в Корее. ** В основе производства данного зарядного устройства лежит нитрид галлия (GaN). Он применяется для повышения энергоэффективности и снижения тепловыделения. Детали, созданные из альтернативного полупроводникового материала, обладают высокой теплопроводностью, стойкостью к высоким температурам и устойчивостью к кислотам и щелочам. Основные преимущества применения технологии GaN: компактность, многофункциональность, энергоэффективность и минимальный нагрев.
Сверхбыстрая зарядка для широкого ряда устройств
* Скорость зарядки зависит от устройства. ** Сверхбыстрая зарядка Super Fast Charging 2.0 (45 Вт) доступна на Galaxy S20 Ultra, Note10+, Tab S7+ и выше, включая Galaxy S22 Ultra и Galaxy S22+. В будущем могут быть добавлены и другие устройства. *** Для зарядки мощностью 45 Вт и выше (PD 65 Вт и SFC 45 Вт) используйте комплектный зарядный кабель с поддержкой силы тока до 5 А.
Универсальная совместимость
* На процесс зарядки могут негативно влиять такие факторы, как подключенное устройство, кабель, условия зарядки.
Безопасная и стабильная зарядка может быть быстрой и мощной
* Внутренние испытания с использованием мировых стандартов, связанных с обеспечением качества. Независимая оценка TÜV SÜD или CTK Korea в период с 10.01.2021 по 31.10.2021 в Корее. ** В основе производства данного зарядного устройства лежит нитрид галлия (GaN). Он применяется для повышения энергоэффективности и снижения тепловыделения. Детали, созданные из альтернативного полупроводникового материала, обладают высокой теплопроводностью, стойкостью к высоким температурам и устойчивостью к кислотам и щелочам. Основные преимущества применения технологии GaN: компактность, многофункциональность, энергоэффективность и минимальный нагрев.